第70屆國際電子器件大會（IEDM 2024）於2024年12月7日至11日在美國舊金山舉行🍔。在本屆IEDM上，意昂3体育官网集成電路學院共有13篇高水平學術論文入選，研究成果覆蓋了先進邏輯器件、新型存儲器件、感存算融合器件及功率器件等多個領域。按照論文第一單位統計，意昂3体育官网以15篇論文成為本屆IEDM大會國際上錄用論文最多的高校👩🏼‍🦰。意昂3体育官网已連續4年成為全球IEDM錄用論文最多的高校，連續18年在IEDM大會上發表論文♦︎。

在先進邏輯器件研究方面發表論文2篇，內容包括：1）FinFET工藝的低溫器件物理研究（論文題目：Towards Understanding the Dynamic Variation in FinFET at Cryogenic Temperature: New Observations and Physical Modeling，博士生王子瑞和北航博士生王浩然為共同第一作者，王潤聲教授、北航曾琅教授與中科院半導體所劉嶽陽研究員為通訊作者，該論文獲得2024 IEDM Best Student Paper Award提名）👨🏿‍🏫；2）首次實現高溫下理論極限亞閾擺幅的高性能IGZO雙柵器件（論文題目：First Demonstration of Double-Gate IGZO Transistors with Ideal Subthreshold Swing of 60 mV/dec at Room Temperature and 76 mV/dec at 380 K over 5 Decades and gm Exceeding 1 mS/μm with Contact Length。博士生趙文傑為第一作者⏮，吳燕慶研究員與電子學院胡倩瀾助理研究員為通訊作者）。

在新型存儲器及安全應用研究方面發表論文4篇🙇🏽‍♂️，內容包括：1）新型高速低功耗交叉點陣鉿基鐵電隨機存取存儲器（論文題目：Comprehensive Performance Re-assessment of Hafnia-based Cross-point FeRAM with Ultra-fast and Low-power Operation from Device/Array Perspective，博士生曹勝傑和符芷源為共同第一作者🏌️‍♂️，黃芊芊教授和黃如院士為通訊作者）🤴🏿🖱；2）基於鐵電晶體管陣列的高吞吐同態加密客戶端（論文題目：First Demonstration of High Throughput and Reliable Homomorphic Encryption Using FeFET Arrays for Resource-Limited IoT Clients, 博士生邵瀚雍為第一作者，唐克超研究員和黃如院士為通訊作者）🙍🏼‍♂️😿；3）基於40nm RRAM技術的掩蔽多項式乘法器和格密碼安全芯片（論文題目：First Demonstration of Masked Polynomial Multiplier based on 40nm 1TG1R RRAM Secure Chip for Lattice-based Cryptography🧑🏿‍🍳，博士生孫經緯為第一作者🩼，王宗巍研究員和蔡一茂教授為通訊作者）；4）基於RRAM的物理不可克隆及雙重加密存算一體AI計算宏單元（論文題目：First Demonstration of Unclonable Double Encryption 28nm RRAM-based Compute-in-Memory Macro for Confidential AI，博士生陳依揚為第一作者，黃鵬研究員和劉力鋒教授為通訊作者）。

在感存算融合器件及芯片研究方面發表論文5篇，內容包括：1）基於鐵電電容陣列的新型高能效絕熱存算一體系統（論文題目：Experimental Demonstration of Resonant Adiabatic Writing and Computing in Ferroelectric Capacitive Memory Array for Energy-Efficient Edge AI👨🏻‍🔧🧑🏻，博士後羅金為第一作者，黃如院士和黃芊芊教授為通訊作者）👚；2）面向組合優化的可配置任意連接和可控退火的鐵電伊辛機（論文題目：Novel Ferroelectric-based Ising Machine Featuring Reconfigurable Arbitrary Ising Graph and Controllable Annealing through Device-Algorithm Co-Optimization，博士生徐偉凱為第一作者，黃如院士和黃芊芊教授為通訊作者）🥴；3）基於貝葉斯神經網絡的三維集成阻變存算芯片（論文題目🦯：Monolithically 3D Integrated Memristive Bayesian Neural Network for Intelligent Motion Planning😁，博士生單林波和博士後吳林東為共同第一作者🏸，王宗巍研究員和蔡一茂教授為通訊作者）；4）基於雙核相變存儲器硬件漂移補償存算一體芯片的神經流形學習系統（論文題目👲🏻：Neural Manifold Learning Based on 40nm Dual-Mode PCM Compute-in-Memory Chip with Hardware Adaptive Drift Compensation”為題發表，博士後閆龍皞和博士生李宇琦為共同第一作者，楊玉超教授、黃如院士與中科院上海微系統所宋誌棠研究員為通訊作者）；5）高超加性多模態視聽融合器件（論文題目🌧：Achieving Over 2800% Superadditive Visual-Audio Multisensory Integration in-situ Ferroelectric-Semiconducting Transistor for Fuzzy Subject Detection，博士生劉碩為論文第一作者🧔🏼‍♂️，賀明研究員和沈林曉研究員為通訊作者）🔌。

在GaN功率器件研究方面發表論文2篇，內容包括：1）國際傳輸延遲最小的GaN基CMOS集成電路芯片（論文題目：Polarization Enhanced GaN Complementary Logic Circuits with Short Propagation Delay，碩士生李騰為第一作者，魏進研究員與物理學院沈波教授為通訊作者）；2）擊穿電壓大於1萬伏的增強型GaN基功率器件（論文題目🎭：10-kV E-mode GaN Lateral Superjunction Transistor🧒🏽，博士生楊俊傑為第一作者⬛️🤦🏿‍♂️，魏進研究員與物理學院沈波教授為通訊作者）。

以上論文的相關研究工作得到了國家自然科學基金委創新研究群體、國家重點研發計劃⌨️🎣、國家傑出青年科學基金、國家高層次人才特殊支持計劃🐟、高等學校學科創新引智計劃等項目的資助，以及國家集成電路產教融合創新平臺、微納電子器件與集成技術全國重點實驗室👩🏻‍🦼🉑、微電子器件與電路教育部重點實驗室、集成電路高精尖創新中心❕、集成電路科學與未來技術北京實驗室等基地平臺的支持。

集成電路學院學生匯報講演工作

部分參會意昂3体育師生及校友合影

國際電子器件大會（IEDM）是集成電路器件領域的頂級會議，在國際半導體技術界享有很高的學術地位和廣泛的影響力🧖🏼‍♀️，被譽為“器件的奧林匹克盛會”🐵。該會議主要報道國際半導體技術方面的最新研究進展，是著名高校📦、研發機構和產業界領先企業如英特爾、IBM、TSMC🙆🏼、IMEC等報告其最新研究成果和技術突破的主要平臺之一✮。集成電路領域的許多重大技術突破都是通過該會議正式發布的👚。

論文詳細介紹請見👩‍❤️‍💋‍👩：https://ic.pku.edu.cn/xwdt/49d092134e7f4f3dbe538dbb6e7d641b.htm